Crossbar ReRAM, ¿memorias hasta 1.000 veces más rápidas que las SSD actuales?
¿Un sistema de almacenamiento con velocidades de escritura hasta 1.000 veces superiores que los ya de por sí rápidos discos SSD actuales? Esa no es la única promesa de la memoria ReRAM de Crossbar: también afirman que se puede conseguir un tiempo de latencia 100 veces inferior y un consumo de energía 20 veces inferior al de los actuales chips de memoria NAND.
¿Qué hay detrás de todas estas promesas? Crossbar es una compañía californiana fundada en 2010 con la intención de fabricar un tipo de memoria no volátil –la que almacena la información sin necesidad de estar alimentada continuamente–. Su objetivo era fabricar un tipo de memoria mucho más eficiente siguiendo los mismos procesos de producción que la –más que estandarizada– tecnología basada en transistores CMOS, para evitar tener que usar sistemas de manufactura específicos, que incrementarían aún más los costes –de por sí elevados– de su fabricación.
La ReRAM –Resistive Random-Access Memory– es una tecnología de memoria resistiva con una estructura particularmente simple de tres capas –electrodo superior, medio de conmutación y electrodo inferior–, cuyo mecanismo de conmutación se basa en la formación de un filamento en el propio material de conmutación cuando se aplica una tensión entre los dos electrodos, tal como detalla la compañía en su página web dedicada a esta tecnología. Su principal ventaja para su uso en discos SSD es la reducción de la complejidad de la propia controladora –actual cuello de botella de estas memorias– pues se elimina una importante parte de los accesos de memoria.
La ReRAM específica de Crossbar hace uso de una base de silicio para el material de conmutación, y una vez aplicada la tensión entre los electrodos se forma un nano-filamento metálico; toda la estructura de esta célula resulta ser muy estable y puede soportar grandes rangos de temperatura durante su operación, así como retener su estado –información– durante más de 10 años incluso a altas temperaturas, a la vez permite más de un millón de ciclos de escritura.
Tal como señala Crossbar, estas células pueden ser apiladas en las tres dimensiones, y conseguir así almacenar múltiples terabytes (TB) de datos en un solo chip. Sumado a la utilización de procesos de fabricación de 10 nm, se puede obtener una relación de densidad muy favorable.
Muchas otras compañías también has expresado su interés por este tipo de tecnología –también conocida como RRAM–, como es el caso de Rambus, pero también existen otras alternativas que hacen uso de conceptos similares, como los que encontramos detrás de los discos Optane basados en la memoria 3D XPoint, desarrollada en este caso por Intel y Micron, que también prometen fabricar SSDs 1.000 veces más rápidos que los actuales. En ambos casos se hace patente las limitaciones de la actual memoria flash NAND, que todavía no son los suficientemente rápidas para muchos fabricantes y usuarios.
Eso sí, de momento el precio será aún bastante elevado, y se pronostica que su uso se oriente a un mercado muy específico que necesite de las mejores prestaciones posibles. En todo caso, el primer paso –la solución tecnológica– ya está hecha; ahora toca esperar para que los costes de producción bajen lo suficiente para empezar a ver en el mercado de consumo este tipo de discos que, a buen seguro, deleitarán a aquellos fotógrafos que gestionan grandes catálogos de imágenes.
Más información en la nota de prensa oficial y en la página de la tecnología Crossbar ReRAM.
